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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTY105NM50N
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STY105NM50N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STY105NM50N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STY105NM50N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STY105NM50N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2421

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Anzahl

Spezifikation

STY105NM50N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STY105NM50N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STY105NM50N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MAX247™  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 52A, 10V  
Verlustleistung (max) 625W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 326 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  
Grundproduktnummer STY105  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STY105NM50N.

Produkteigenschaften STY105NM50N STY139N65M5 STY60NM50 STY100NS20FD
Artikelnummer STY105NM50N STY139N65M5 STY60NM50 STY100NS20FD
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 650 V 500 V 200 V
Serie MDmesh™ II MDmesh™ V MDmesh™ MESH OVERLAY™
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 625W (Tc) 625W (Tc) 560W (Tc) 450W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 130A (Tc) 60A (Tc) 100A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 326 nC @ 10 V 363 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STY105 STY139 STY60 STY100
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 52A, 10V 17mOhm @ 65A, 10V 50mOhm @ 30A, 10V 24mOhm @ 50A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 100 V 15600 pF @ 100 V 7500 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V

STY105NM50N Datenblatt PDF

Laden Sie STY105NM50N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STY105NM50N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
Datenblätter
STY105NM50N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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