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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK250N10
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTK250N10 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK250N10
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK250N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 250A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXTK250N10.pdf
vorrätig: 4710

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Spezifikation

IXTK250N10 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK250N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK250N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie MegaMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 730W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK250  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK250N10.

Produkteigenschaften IXTK250N10 IXTK62N25 IXTK200N10L2 IXTK170N10P
Artikelnummer IXTK250N10 IXTK62N25 IXTK200N10L2 IXTK170N10P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 90A, 10V 35mOhm @ 31A, 10V 11mOhm @ 100A, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 730W (Tc) 390W (Tc) 1040W (Tc) 715W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250A (Tc) 62A (Tc) 200A (Tc) 170A (Tc)
Paket Box Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12700 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 100 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Grundproduktnummer IXTK250 IXTK62 IXTK200 IXTK170
Serie MegaMOS™ MegaMOS™ Linear L2™ Polar
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXTK250N10 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK250N10 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK250N10 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTK250N10.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXTK250N10 14/Nov/2012.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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