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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK22N100L
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTK22N100L - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK22N100L
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK22N100L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 22A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXT(K,X)22N100L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1292

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Spezifikation

IXTK22N100L Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK22N100L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK22N100L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie Linear  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 11A, 20V  
Verlustleistung (max) 700W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7050 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 15 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK22N100L.

Produkteigenschaften IXTK22N100L IXTK180N15P IXTK17N120L IXTK46N50L
Artikelnummer IXTK22N100L IXTK180N15P IXTK17N120L IXTK46N50L
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 11A, 20V 10mOhm @ 90A, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V 160mOhm @ 500mA, 20V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 15 V 240 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V 260 nC @ 15 V
Serie Linear Polar Linear Linear
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 150 V 1200 V 500 V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 500µA 5V @ 250µA 6V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 20V 20V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Verlustleistung (max) 700W (Tc) 800W (Tc) 700W (Tc) 700W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 180A (Tc) 17A (Tc) 46A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXTK22 IXTK180 IXTK17 IXTK46
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7050 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V

IXTK22N100L Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK22N100L PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK22N100L - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(K,X)22N100L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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