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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK33N50
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTK33N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK33N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK33N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 33A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXTK33N50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

IXTK33N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK33N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK33N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 416W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK33  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK33N50.

Produkteigenschaften IXTK33N50 IXTK180N15 IXTK90N25L2 IXTK17N120L
Artikelnummer IXTK33N50 IXTK180N15 IXTK90N25L2 IXTK17N120L
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 180A (Tc) 90A (Tc) 17A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 20V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Serie - MegaMOS™ Linear L2™ Linear
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 640 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V
Verlustleistung (max) 416W (Tc) 730W (Tc) 960W (Tc) 700W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 500mA, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V 33mOhm @ 45A, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IXTK33 IXTK180 IXTK90 IXTK17
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 150 V 250 V 1200 V

IXTK33N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK33N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK33N50 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTK33N50.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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