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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK200N10P
IXYS
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IXTK200N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK200N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK200N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXTK200N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4383

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Spezifikation

IXTK200N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK200N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK200N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 800W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK200N10P.

Produkteigenschaften IXTK200N10P IXTK180N15 IXTK200N10L2 IXTK250N10
Artikelnummer IXTK200N10P IXTK180N15 IXTK200N10L2 IXTK250N10
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Serie Polar MegaMOS™ Linear L2™ MegaMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 100 V 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc) 180A (Tc) 200A (Tc) 250A (Tc)
Grundproduktnummer IXTK200 IXTK180 IXTK200 IXTK250
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Box
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 800W (Tc) 730W (Tc) 1040W (Tc) 730W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 90A, 10V

IXTK200N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK200N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK200N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTK200N10P.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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