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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK21N100
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTK21N100 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK21N100
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK21N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXT(K,N)21N100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4450

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Spezifikation

IXTK21N100 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK21N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK21N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie MegaMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK21N100.

Produkteigenschaften IXTK21N100 IXTK250N10 IXTK17N120L IXTK33N50
Artikelnummer IXTK21N100 IXTK250N10 IXTK17N120L IXTK33N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 100 V 1200 V 500 V
Grundproduktnummer IXTK21 IXTK250 IXTK17 IXTK33
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 250A (Tc) 17A (Tc) 33A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V
Serie MegaMOS™ MegaMOS™ Linear -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 500µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V 5mOhm @ 90A, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V 170mOhm @ 500mA, 10V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Box Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 730W (Tc) 700W (Tc) 416W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V 250 nC @ 10 V

IXTK21N100 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK21N100 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK21N100 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(K,N)21N100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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