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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK20N150
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTK20N150 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK20N150
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK20N150
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXT(K,X)20N150.pdf
RoHS Status
vorrätig: 836

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Spezifikation

IXTK20N150 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK20N150 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK20N150

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 1250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK20N150.

Produkteigenschaften IXTK20N150 IXTK128N15 IXTK250N10 IXTK21N100
Artikelnummer IXTK20N150 IXTK128N15 IXTK250N10 IXTK21N100
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXTK20 IXTK128 IXTK250 IXTK21
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 500µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Box Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V 150 V 100 V 1000 V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Serie - MegaMOS™ MegaMOS™ MegaMOS™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 128A (Tc) 250A (Tc) 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 10A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 5mOhm @ 90A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max) 1250W (Tc) 540W (Tc) 730W (Tc) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V

IXTK20N150 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK20N150 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK20N150 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(K,X)20N150.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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